三星故计重施,砸12亿重金买断EUV机台!

2017-11-01 09:47:22 互联网
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近日,全球各大半导体厂抢进先进制程,纷砸大钱向独家供应商艾司摩尔(ASML),订购要价1.5亿美元(折合人民币约10亿元)起跳的极紫外光微影设备(EUV)。据了解,ASML今年规划生产的12台EUV机台中,三星拟订下10台,外界推测三星此举除考量ASML生产不顺外,也趁机阻碍台积电等其他竞争对手的量产进度。详情一起来了解。

三星力拼7纳米制程 随着半导体制程愈来愈先进,使得10纳米以下先进制程,必须导入波长只有13.5纳米的极紫外光(EUV),才能降低晶圆制造的光罩数,缩短晶片制程流程。

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虽然目前ASML开发的EUV机台造价相当昂贵,但三星已率先在7纳米导入EUV,未来2年包括英特尔(Intel)、台积电、格罗方德(GF)等也都计划采用。

由于先前曾传出光学镜头生产商蔡司(Carl Zeiss)供应不足,导致ASML的EUV机台生产不顺。而如果最后三星真的将该关键设备垄断,将阻碍其他竞争对手台积电的开发先进制程的进度,而这对于三星拓展晶圆代工业务相当有利。

EUV带来技术性突破 极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)又被称作EUV光刻,它以波长为10——14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4纳米的软X射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

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据悉,EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可使曝光波长一下子降到13.5纳米,它能够把光刻技术扩展到32纳米以下的特征尺寸。

目前,光刻技术已成为现代集成电路设计上最大的瓶颈。以往cpu使用的45纳米、32纳米工艺都是由193纳米液浸式光刻系统来实现的,但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的,而采用 EUV光刻技术就会很好的解决此问题,也会为该领域带来一次飞跃。

EUV或成芯片企业致胜关键 事实上,三星先前在OLED的市场争夺战中就用过相同手段,并因此尝到甜头。三星当时也是从独家供应商日本Canon Tokki手中,将生产的7台OLED蒸镀机买下其中5台,让竞争对手LG Display及中国大陆的京东方分别只抢到1台,发展追不上三星。

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而台积电作为全球最大的半导体代工企业也有它的优势,由于它一直居于领先地位,获取了丰厚的利润,这为它持续研发先进工艺提供了资金支持,近两年在三星的逼迫下它正在不断提升研发投入。

事实上,在7纳米工艺上的竞争,可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动,业界传出消息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙845交给台积电,而三星则可能夺得苹果A12处理器的订单。